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CW606N-H140铜带冲压件电子材料

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ZQSn3-12-5----BC1-

ZQSn3-7-5-1C84400LG1-G-CuSn2ZnPb (2.1098.01)--

ZQSn5-5-5C83600LG2CuPb5SnZn5G-CuSn5ZnPb (2.1096.01)BC6CuPb5Sn5Zn

ZQSn6-6-3C83800LG3CuSn7Pb6Zn4G-CuSn7ZnPb (2.1090.01)BC7-

ZQSn7-0.2-PB3--PBC1-

ZQSn10-1C90700PB1--PBC2-

ZQSn10-2-1C92700LPB1----

ZQSn10-2C90500G1CuSn12

集成电路

微电子技术的铜带核心是集成电路。集成电路是冲压材料指以半导体晶体材料为基片（芯片），采用专门的铜带工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的冲压材料微小型化电路。这种微电路在结构上比zui紧凑的铜带分立元件电路在尺寸和重量上小成千上万倍。它的冲压材料出现引起了计算机的巨大变革，成为现代信息技术的铜带基础。己开发出的冲压材料很大规模集成电路，在比小姆指甲还小的铜带单个芯片面积上，能做出的冲压材料晶体管数目，己达十万甚至百万以上。铜带国际的冲压材料计算机公司IBM（国际商业机器公司），己采用铜代替硅芯片中的铜带铝作互连线，取得了突破性进展。冲压材料这种用铜的铜带新型微芯片，可以获得30%的效能增益，电路的线尺寸可以减小到0.12微米，可使在单个芯片上集成的晶体管数目达到200万个。这就为古老的金属铜，在半导体集成电路这个zui新技术领域中的应用，开创了新局面 [1] 。引线框架

为了保护集成电路或混合电路的正常工作