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按照封装工艺来看，北京IGBT模块主要可分为焊接式与压接式两类。市批高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，块品靠中低压IGBT模块则出现了很多新技术，质优如烧结取代焊接，良诚压力接触取代引线键合的北京压接式封装工艺。

IGBT一般分为IGBT单管和IGBT模块。市批简而言之IGBT电流密度高且功耗低，块品靠能够提高能效、质优降低散热需求，良诚从而有效降低整体系统成本。北京它们广泛应用于通用逆变器、市批太阳能逆变器、块品靠不间断电源（UPS）、质优感应加热设备、良诚大型家电、焊接以及开关电源（SMPS）等领域。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

热限制就是我们脉冲功率，时间比较短，它可能不是一个长期的工作点，可能突然增加，这个时候就涉及到另外一个指标，动态热阻，我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性，就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小，这个寿命才长。