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GTR饱和压降低，北京载流密度大，块供但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，应用开关速度快，心服但导通压降大，每位客载流密度小。北京IGBT综合了以上两种器件的块供优点，驱动功率小而饱和压降低。应用非常适合应用于直流电压为600V及以上的心服变流系统如交流电机、变频器、每位客开关电源、北京照明电路、块供牵引传动等领域。应用

IGBT 的心服开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，每位客使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。

IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：

从发电端来看，风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。

从输电端来看，特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。

从变电端来看，IGBT是电力电子变压器（PET）的关键器件。

从用电端来看，家用白电、微波炉、LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。

IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和IGBT的触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片，根据使用IGBT模块型号，有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。