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作为新型功率半导体器件的秦皇主流器件，IGBT已广泛应用于工业、块制4C（通信、造客计算机、户满消费电子、意度汽车电子）、秦皇航空航天、块制国防军工等传统产业领域，造客以及轨道交通、户满新能源、意度智能电网、秦皇新能源汽车等战略性新兴产业领域。块制

IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的造客主流电力电子器件。交流传动技术是户满现代轨道交通的核心技术之一，在交流传动系统中牵引变流器是意度关键部件，而IGBT又是牵引变流器核心的器件之一。

在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

若栅-射极电压UGE＞Uth ，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。

三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。

以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。